FMM 3 2496 — различия между версиями
SergeTru (обсуждение | вклад) (BOT: Changing page text) |
Kronrod (обсуждение | вклад) |
||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
{{Заголовок экспоната}} | {{Заголовок экспоната}} | ||
| + | <div style="float:left; padding:3em"><embed3d width="400" autoplay=1 no-controls>FMM_3_2496</embed3d> </div> | ||
| + | <b>Кальцит CaCO<sub>3</sub></b><br> | ||
| + | Бесцветный [[кальцит|'''кальцит''']] с гранями ромбоэдра, нарастающий на головку желтоватого призматического кристалла кальцита. Размер 5 см. Образец из месторождений Дальнегорской группы в Приморье. Ориентированное нарастание кристаллов одного и того же минерала, как в данном случае, называется автоэпитаксией — это связано с изменением условий кристаллизации.<br> | ||
| + | Эпитаксия возможна не только при нарастании одного кристалла непосредственно на поверхность другого, но и при нарастании на подложке, покрытой тонкой пленкой пластичного вещества. Причина сохранения ориентации через промежуточный слой до сих пор остается неясной. Говоря о нерешенных проблемах эпитаксии, следует упомянуть также о механизме действия примесей, присутствие которых часто улучшает эпитаксию в том смысле, что несколько ориентаций нарастающих кристаллов заменяются одной.<br> | ||
| + | В настоящее время явление эпитаксии широко используется в современной микроэлектронике при выращивании тонких монокристаллических полупроводниковых пленок. Путем последовательного наращивания эпитаксиальных пленок образуются так называемые сэндвич-структуры, на основе которых создаются интегральные схемы, устойчивая магнитная память и т.п. | ||
| + | |||
| + | <br clear="all"> | ||
| + | <div align="right"> | ||
{{Collections:{{PAGENAME}}}} | {{Collections:{{PAGENAME}}}} | ||
| + | </div> | ||
Текущая версия на 18:55, 12 января 2020
Кальцит
Кальцит CaCO3
Бесцветный кальцит с гранями ромбоэдра, нарастающий на головку желтоватого призматического кристалла кальцита. Размер 5 см. Образец из месторождений Дальнегорской группы в Приморье. Ориентированное нарастание кристаллов одного и того же минерала, как в данном случае, называется автоэпитаксией — это связано с изменением условий кристаллизации.
Эпитаксия возможна не только при нарастании одного кристалла непосредственно на поверхность другого, но и при нарастании на подложке, покрытой тонкой пленкой пластичного вещества. Причина сохранения ориентации через промежуточный слой до сих пор остается неясной. Говоря о нерешенных проблемах эпитаксии, следует упомянуть также о механизме действия примесей, присутствие которых часто улучшает эпитаксию в том смысле, что несколько ориентаций нарастающих кристаллов заменяются одной.
В настоящее время явление эпитаксии широко используется в современной микроэлектронике при выращивании тонких монокристаллических полупроводниковых пленок. Путем последовательного наращивания эпитаксиальных пленок образуются так называемые сэндвич-структуры, на основе которых создаются интегральные схемы, устойчивая магнитная память и т.п.
